会议论文《超薄AlAs界面层对Ge基GaInP外延层的超快光学特性的影响》探讨了在Ge基底上生长GaInP外延层时，引入超薄AlAs界面层对其光学性质的影响。研究通过超快光谱技术分析了载流子动力学行为，揭示了AlAs界面层对电子结构和载流子寿命的调控作用，为高性能光电子器件的设计提供了理论依据。
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