氮掺杂浓度对6H-SiC热氧化速率的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 06:21 | 查看全部 阅读模式

会议论文《氮掺杂浓度对6H-SiC热氧化速率的影响》探讨了氮掺杂浓度对6H-SiC材料在热氧化过程中的影响。研究通过实验分析不同掺杂水平下氧化层的生长速率,揭示了氮元素对氧化动力学的调控作用。该成果为6H-SiC器件的氧化工艺优化提供了理论依据,具有重要的应用价值。

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氮掺杂浓度对6H-SiC热氧化速率的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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