氮掺杂对于N型6H-SiC氧化速率的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 06:21 | 查看全部 阅读模式

会议论文《氮掺杂对于N型6H-SiC氧化速率的影响》探讨了氮元素掺杂对6H-SiC材料氧化行为的影响。研究通过实验分析表明,氮掺杂能够显著改变材料的氧化速率,进而影响其表面氧化层的质量和稳定性。该成果为6H-SiC在高温和高功率器件中的应用提供了理论支持和技术参考,具有重要的工程意义。

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氮掺杂对于N型6H-SiC氧化速率的影响 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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