会议论文《栅覆盖源漏区对TFET性能的影响》探讨了栅极覆盖源漏区结构对隧道场效应晶体管（TFET）性能的影响。通过优化栅极结构，研究提高了器件的电流驱动能力和开关比，同时降低了亚阈值摆幅。该研究为提升TFET的性能提供了新的设计思路，具有重要的理论和应用价值。
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