会议论文《基于二聚体理论的锗硅分速率模型》探讨了锗硅合金中组分分布的物理机制，提出了一种基于二聚体理论的分速率模型。该模型有助于更准确地描述材料生长过程中的扩散行为，为半导体器件的优化设计提供了理论依据。论文在第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议上发表，具有重要的学术价值和应用前景。
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