会议论文《基于Grove理论与分立流密度机制的锗硅生长速率模型》探讨了锗硅材料在半导体制造中的生长速率问题。该研究结合Grove理论与分立流密度机制，建立了更为精确的生长速率模型，为优化锗硅薄膜制备工艺提供了理论依据，对提升器件性能具有重要意义。
文档为pdf格式，0.41MB，总共6页。
举报
