中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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2026-1-10 02:19 | 查看全部阅读模式

会议论文《中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文通过数值模拟方法研究了中子与γ射线共同作用下，横向PNP晶体管电流增益的退化特性，分析了辐射损伤对器件性能的影响，为辐射环境下电子器件的可靠性评估提供了理论依据。

文档为pdf格式，0.47MB，总共8页。