会议论文《一种低损耗JFET控制槽栅IGBT》介绍了新型IGBT结构的设计与优化。该器件采用JFET控制槽栅技术，有效降低了导通损耗和开关损耗，提高了器件性能。研究通过仿真与实验验证了其优势，为高性能功率半导体器件的发展提供了新思路。
文档为pdf格式，0.6MB，总共4页。
举报
