会议论文《SiC刻蚀工艺研究及其对BJT击穿电压的影响》探讨了硅碳（SiC）刻蚀工艺对双极结型晶体管（BJT）性能的影响。研究通过优化刻蚀参数，提高了器件的击穿电压，增强了器件的可靠性与稳定性。该成果为SiC功率器件的开发提供了重要参考，具有重要的工程应用价值。
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