SiGe HBT 60Coγ辐照总剂量效应研究 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

本文研究了SiGe HBT器件在60Coγ辐照下的总剂量效应。通过实验分析了辐照后器件的电学特性变化，探讨了辐射对器件性能的影响机制。研究结果为SiGe HBT在高辐射环境中的应用提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程意义。

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SiGe HBT 60Coγ辐照总剂量效应研究 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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