会议论文《InGaAs_InP量子阱与体材料1MeV电子辐照光致发光谱研究》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该研究通过光致发光谱分析了InGaAs/InP量子阱及体材料在1MeV电子辐照后的光学特性变化，探讨了辐射损伤对材料能带结构和发光性能的影响，为半导体器件在高辐射环境下的应用提供了重要参考。
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