会议论文《GaN HEMT器件小信号等效电路模型参数提取》探讨了氮化镓高电子迁移率晶体管的小信号建模方法。该研究针对GaN HEMT器件的高频特性，提出了一种有效的参数提取方案，旨在提高模型精度与可靠性。通过实验数据与仿真结果对比，验证了所提方法的可行性，为高性能射频器件设计提供了理论支持。
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