Cu含量对三步共蒸发法制备的Cu(In1-x_Cax)Se2薄膜材料结构及电学特性的影响 - 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会.pdf

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2026-1-10 01:14 | 查看全部 阅读模式

本文介绍了Cu含量对三步共蒸发法制备的Cu(In1-x_Cax)Se2薄膜材料结构及电学特性的影响。通过调整Cu的含量,研究了其对薄膜晶体结构、表面形貌以及电导率等性能的影响。实验结果表明,Cu含量的改变显著影响材料的结晶质量与电学性能,优化Cu比例可提高薄膜的光电转换效率,为高效铜铟硒薄膜太阳能电池的制备提供了理论依据。

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Cu含量对三步共蒸发法制备的Cu(In1-x_Cax)Se2薄膜材料结构及电学特性的影响 - 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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