会议论文《CCD在3MeV和10MeV质子辐照下的暗信号退化原因分析》探讨了不同能量质子对CCD器件暗信号的影响。研究通过实验分析了质子辐照后CCD暗电流的变化规律,揭示了辐照导致的晶体缺陷和电荷陷阱对暗信号的贡献。该文为提高CCD在辐射环境下的性能提供了理论依据和技术参考。
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