CCD在3MeV和10MeV质子辐照下的暗信号退化原因分析 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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2026-1-10 01:13 | 查看全部 阅读模式

会议论文《CCD在3MeV和10MeV质子辐照下的暗信号退化原因分析》探讨了不同能量质子对CCD器件暗信号的影响。研究通过实验分析了质子辐照后CCD暗电流的变化规律,揭示了辐照导致的晶体缺陷和电荷陷阱对暗信号的贡献。该文为提高CCD在辐射环境下的性能提供了理论依据和技术参考。

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CCD在3MeV和10MeV质子辐照下的暗信号退化原因分析 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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