本文研究了BiCMOS工艺数模转换器在高剂量率辐射环境下的性能变化。通过实验分析,揭示了辐射剂量率对转换器精度和稳定性的影响机制。研究结果为提高电子器件在恶劣环境下的可靠性提供了理论依据和技术参考。
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