会议论文《Al2O3绝缘栅AlGaN_GaN MIS-HEMT功率开关器件研究》探讨了基于Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）在功率开关应用中的性能。该研究通过优化绝缘层结构和界面特性，提升了器件的稳定性和开关效率，为高性能功率电子器件提供了新的技术路径。
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