本文针对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象进行了瞬态仿真与分析，研究了器件在高电压下的动态特性。通过建立物理模型，模拟了电流崩塌的形成机制及其对器件性能的影响，为优化器件设计和提高可靠性提供了理论依据。
文档为pdf格式，0.75MB，总共4页。
举报
