4H-SiC浮动结SBD反向恢复电荷解析模型 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 01:02 | 查看全部 阅读模式

会议论文《4H-SiC浮动结SBD反向恢复电荷解析模型》针对4H-SiC功率器件的反向恢复特性展开研究,提出了一种基于浮动结结构的反向恢复电荷解析模型。该模型有效揭示了器件在开关过程中的电荷动态行为,为优化器件性能和提升系统效率提供了理论依据。文章通过实验与仿真结合的方式验证了模型的准确性,对推动4H-SiC器件在电力电子领域的应用具有重要意义。

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4H-SiC浮动结SBD反向恢复电荷解析模型 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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