会议论文《4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜的工艺研究》探讨了在4H-SiC衬底上生长β-FeSi2薄膜的工艺方法。研究通过优化沉积参数,提高了薄膜的结晶质量和均匀性,为光电子器件和高温半导体应用提供了新的材料基础。
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