4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜的工艺研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 01:02 | 查看全部 阅读模式

会议论文《4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜的工艺研究》探讨了在4H-SiC衬底上生长β-FeSi2薄膜的工艺方法。研究通过优化沉积参数,提高了薄膜的结晶质量和均匀性,为光电子器件和高温半导体应用提供了新的材料基础。

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4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜的工艺研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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