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本文介绍了采用n-AlInGaN作为电子缓冲层中量子垒的新型LED结构，旨在提升LED的性能与效率。通过优化电子缓冲层的设计，有效调控载流子分布，降低漏电流，提高光输出功率。该结构在第十三届全国LED产业发展与技术研讨会上被提出，为未来高亮度、高效LED的发展提供了新思路。 文档为pdf格式，0.71MB，总共5页。
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- 采用n-AlInGaN作为电子缓冲层中的量子垒的新型LED结构 - 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会.pdf ...
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