论文《晶格异变GaxIn1-xP渐变过渡层生长及应力弛豫研究》探讨了在半导体材料中通过生长GaxIn1-xP渐变过渡层来缓解晶格失配应力的方法。该研究针对不同成分的GaxIn1-xP材料,分析了其在异质衬底上的生长行为及应力弛豫机制,为高性能光电子器件的制备提供了理论依据和技术支持。
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