本文针对折叠式共源共栅运算放大器中的单粒子翻转(SET)效应进行分析。通过仿真与实验,研究了SET对电路性能的影响,探讨了不同工艺参数和工作条件下的敏感性。文章提出了有效的抗辐射设计方法,为提高集成电路在恶劣环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持。
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