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应变LDMOS器件的特性研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf

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2025-12-14 17:31 | 查看全部阅读模式

该论文介绍了应变LDMOS器件的特性研究，旨在探讨应变技术对器件性能的影响。通过实验与模拟分析，研究了应变对载流子迁移率、导通电阻及击穿电压等关键参数的改善作用。结果表明，应变技术能够有效提升LDMOS器件的性能，为高性能功率器件的设计提供了理论依据和技术支持。

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应变LDMOS器件的特性研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

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应变LDMOS器件的特性研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf

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