应力调控的AlxGa1-xN_GaN多量子阱结构的材料生长研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《应力调控的AlxGa1-xN_GaN多量子阱结构的材料生长研究》探讨了通过应力调控优化AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的生长方法。研究重点分析了不同应力量对材料质量、界面特性及光学性能的影响，为高性能光电器件和微波器件提供了理论依据与实验支持。

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2025-12-14 17:32 上传 应力调控的AlxGa1-xN_GaN多量子阱结构的材料生长研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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