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SiC_栅介质界面优化研究进展 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2025-12-14 14:57 | 查看全部阅读模式

论文《SiC_栅介质界面优化研究进展》介绍了碳化硅（SiC）器件中栅介质界面的优化方法与最新研究进展。文章分析了SiC与栅介质之间的界面缺陷对器件性能的影响，并探讨了多种改善界面质量的技术手段，如表面处理、退火工艺及新型介质材料的应用。该研究为提高SiC功率器件的可靠性与性能提供了重要参考。

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学术会议, 研究进展, 固体, 薄膜, 介质

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