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论文《HVPE growth of GaN films on O-polarity ZnO substrates》介绍了在O极性ZnO衬底上采用氢化物气相外延(HVPE)技术生长GaN薄膜的研究。文章探讨了生长条件对GaN薄膜质量的影响,分析了晶体结构和表面形貌,并讨论了其在光电子器件中的应用潜力。 文档为pdf格式,0.62MB,总共4页。
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