本文介绍了GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外材料的背景载流子输运特性。研究针对该材料在长波红外探测中的应用,分析了载流子在结构中的迁移行为及其对器件性能的影响,为优化器件设计提供了理论依据。
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