AlGaN_GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 14:32 | 查看全部阅读模式

本文研究了AlGaN/GaN HEMT器件在等离子体过刻蚀过程中对器件特性的影响。通过分析不同刻蚀条件下的电学性能变化，揭示了过刻蚀对器件阈值电压、跨导及漏电流等参数的影响机制。研究结果为优化HEMT器件的刻蚀工艺提供了理论依据和技术支持。

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AlGaN_GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

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器件, 等离子体, 学术会议, 化合物, 微波

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