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3D层温度对图形化衬底上生长GaN性能的影响 - 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会.pdf

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2025-12-14 14:28 | 查看全部阅读模式

本文探讨了3D层温度对图形化衬底上生长GaN性能的影响。通过实验分析不同温度下GaN薄膜的晶体质量、表面形貌及光电特性，结果表明，优化3D层温度可显著提升GaN的生长质量与性能。研究为提高氮化镓器件的效率和可靠性提供了理论依据和技术支持。

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3D层温度对图形化衬底上生长GaN性能的影响 - 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

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衬底, 生长, 温度, 性能, 技术研讨会

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