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高截止频率RFLDMOS结构设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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2025-12-14 10:28 | 查看全部阅读模式

论文《高截止频率RFLDMOS结构设计》探讨了提升射频LDMOS器件性能的结构优化方法。通过改进器件结构，如减小沟道长度、优化掺杂分布等，有效提高了器件的截止频率。该研究对推动射频功率器件在高频应用中的发展具有重要意义，为后续高性能RF LDMOS的设计提供了理论支持和技术参考。

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高截止频率RFLDMOS结构设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

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结构设计, 研讨会, 频率, 新技术, 半导体器件

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