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隧道穿透场效应晶体管研究初探 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 10:10 | 查看全部阅读模式

本文介绍了隧道穿透场效应晶体管（Tunnel FET）的研究进展，分析了其工作原理及在纳米尺度下的优势。文章探讨了Tunnel FET在低功耗和高开关比方面的潜力，对比了传统MOSFET的性能差异。研究为下一代半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考，对集成电路设计具有重要意义。

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隧道穿透场效应晶体管研究初探 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 晶体管, 集成电路, 半导体, 隧道

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