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锗中注入H离子退火后起泡动力学研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 10:05 | 查看全部阅读模式

论文《锗中注入H离子退火后起泡动力学研究》探讨了在锗材料中注入氢离子后，经过退火处理后气泡形成的动力学过程。研究通过实验分析了不同退火条件对气泡生长的影响，揭示了氢在锗中的扩散与聚集机制。该成果对半导体器件制造中缺陷控制具有重要意义，为优化工艺参数提供了理论依据。

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锗中注入H离子退火后起泡动力学研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

2025-12-14 10:10 上传

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学术会议, 动力学, 集成电路, 半导体, 离子

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