本文研究了锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）在低温下的直流特性。通过实验分析了器件在不同温度条件下的电流-电压特性，探讨了低温对器件性能的影响。结果表明，低温环境下器件的电流增益显著提高，但基极电阻也有所增加。该研究为SiGe HBT在低温电子器件中的应用提供了理论依据和技术支持。
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