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超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 09:29 | 查看全部阅读模式

本文介绍了超薄SGOI(GOI)材料的制备方法及其物理性质。通过优化工艺参数，成功制备出高质量的超薄GOI结构。研究结果表明，该材料具有优良的电学性能和热稳定性，为未来高性能半导体器件提供了新的材料选择。

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超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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材料, 学术会议, 集成电路, 半导体, 性质

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