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论文《超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒》探讨了在器件退化过程中，缺陷势垒对电性能的影响。研究通过实验分析了超薄栅氧化层中缺陷的形成机制及其对载流子迁移的阻碍作用，揭示了器件可靠性下降的关键因素。该成果为提升MOS器件的稳定性和寿命提供了理论依据和技术参考，对半导体集成电路的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.14MB，总共3页。
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- 超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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