论文《缺陷对石墨烯电子结构的影响》探讨了石墨烯中各种缺陷对其电子性质的调控作用。通过理论计算与实验分析,研究揭示了点缺陷、边界的形成以及杂质原子对能带结构和载流子迁移率的影响。该成果为优化石墨烯基电子器件性能提供了重要理论依据,具有重要的科研与应用价值。
举报