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论文《用Smart-cut技术制备GOI及其性能的研究》介绍了利用Smart-cut技术制备硅基光电子材料（GOI）的方法。该研究通过离子注入和剥离工艺，实现了高质量GOI的制备，并对其光学和电学性能进行了分析。结果表明，该方法能够有效提高材料的均匀性和稳定性，为硅基光电子器件的发展提供了新的途径。 文档为pdf格式，0.26MB，总共3页。
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- 用Smart—cut技术制备GOI及其性能的研究 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf ...
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