本文通过数值模拟研究了热屏底端位置对生长300 mm硅单晶热场的影响。结果表明，热屏位置的变化显著影响温度分布和热梯度，进而影响晶体生长质量。优化热屏位置可改善热场均匀性，提高晶体纯度和品质。该研究为大直径硅单晶生长工艺提供了理论依据和技术支持。
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