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深亚微米PDSOI nMOSFETs热载流子寿命研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 07:41 | 查看全部阅读模式

该论文研究了深亚微米PDSOI nMOSFETs的热载流子寿命，通过实验分析了器件在不同工作条件下的退化特性。结果表明，热载流子效应显著影响器件性能和可靠性，尤其在高电场区域更为明显。研究为优化PDSOI器件设计提供了理论依据和技术支持。

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深亚微米PDSOI nMOSFETs热载流子寿命研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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