|
论文《深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究》探讨了在深亚微米技术节点下，PMOSFET器件中负偏置温度不稳定性（NBTI）效应的表现与机理。文章通过实验分析和理论模型，研究了NBTI对器件性能的影响，包括阈值电压漂移和跨导退化等现象。研究结果为提高器件可靠性提供了理论依据和技术支持，对集成电路设计与制造具有重要参考价值。 文档为pdf格式，0.16MB，总共4页。
- 文件大小:
- 163.84 KB
- 下载次数:
- 60
- 深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
-
高速下载
| 
