本文研究了氢离子注入Ge晶片后损伤的演化行为，通过实验分析了不同注入条件对材料微观结构的影响。结果表明，随着退火温度的升高，氢离子引起的损伤逐渐减少，晶格缺陷得到修复。该研究为Ge基半导体器件的制备提供了理论依据和技术支持。
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