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本文介绍了微波低噪声锗硅功率HBT的性能优化与良率提升研究，针对器件在高频应用中的噪声和稳定性问题，提出改进结构设计与工艺参数的方法。通过优化掺杂分布和界面质量，显著降低了噪声系数并提高了输出功率。同时，研究还探讨了影响器件良率的关键因素，为实现高可靠性、高性能的微波器件提供了理论支持和实践指导。 文档为pdf格式，0.54MB，总共5页。
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- 微波低噪声锗硅功率HBT的性能优化和良率提升 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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