论文《应变Ge价带色散模型研究》探讨了应变对锗材料价带结构的影响，建立了一个精确的价带色散模型。该研究通过理论分析与实验数据结合，揭示了应变条件下Ge的能带变化规律，为高性能Ge基半导体器件的设计提供了理论依据。研究成果对于推动新型电子器件的发展具有重要意义。
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