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应变Si NMODFET中δ掺杂层的优化 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 05:19 | 查看全部阅读模式

本文针对应变Si NMODFET中的δ掺杂层进行优化研究，旨在提高器件性能。通过调整δ掺杂层的位置和浓度，有效改善载流子迁移率和阈值电压特性。研究结果表明，优化后的结构显著提升了器件的电学性能，为高性能硅基电子器件的设计提供了理论依据和技术支持。

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应变Si NMODFET中δ掺杂层的优化 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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学术会议, 应变, 集成电路, 半导体, 材料

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