宽禁带材料GaN功率器件 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

论文《宽禁带材料GaN功率器件 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》探讨了氮化镓（GaN）在功率器件中的应用与发展。文章分析了GaN材料的物理特性及其在高频、高功率电子设备中的优势，介绍了当时GaN功率器件的研究进展与产业化趋势。同时，讨论了其在电力电子领域的潜在影响及面临的挑战，为后续研究提供了重要参考。

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2025-12-14 04:57 上传 宽禁带材料GaN功率器件 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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