论文《多晶硅发射极工艺技术研究》探讨了多晶硅发射极在半导体器件中的应用与优化。文章分析了多晶硅发射极的制备工艺，包括沉积、掺杂和退火等关键步骤，研究了其对器件性能的影响。通过实验验证，提出了提高发射极均匀性和稳定性的方法，为高性能半导体器件的开发提供了理论支持和技术参考。
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