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基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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论文《基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计》介绍了通过高能离子注入技术优化双通道LDMOS器件性能的研究。该研究旨在提高器件的击穿电压和导通能力，同时降低开关损耗。通过改进掺杂工艺和结构设计，实现了更优异的电学特性，为功率半导体器件的发展提供了新思路。

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基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

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