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基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf

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该论文研究了n型掺杂张应变Ge的发光性质，重点分析了其基于直接带跃迁的发光机制。通过实验与理论分析，发现张应变可有效改善Ge的光学性能，增强其发光效率。研究结果对硅基光电子器件的发展具有重要意义，为实现Ge基光源提供了理论依据。

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基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

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光电子, 应变, 研讨会, 器件, 性质

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