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在硒化后的Si(001)表面生长Si量子点 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf

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论文《在硒化后的Si(001)表面生长Si量子点 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会》介绍了通过硒化处理Si(001)表面，实现Si量子点的可控生长。研究探讨了硒化过程对表面结构和量子点形成的影响，为硅基光电子器件的制备提供了新思路。该工作有助于推动硅基量子点在光电子领域的应用发展。

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