反向低击穿硅稳压二极管的制造 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

论文《反向低击穿硅稳压二极管的制造》介绍了反向低击穿硅稳压二极管的制造工艺和性能特点。文章探讨了如何通过优化材料和结构设计，实现更低的击穿电压和更稳定的电压特性。该研究对提升半导体器件的性能和可靠性具有重要意义，为相关领域的技术创新提供了理论支持和实践指导。

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2025-12-14 02:44 上传 反向低击穿硅稳压二极管的制造 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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